| Mo掺杂4H-SiC的磁性和光学性能的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 郭瑞贤,苏晋阳,刘淑平.Mo掺杂4H-SiC的磁性和光学性能的第一性原理研究[J].原子与分子物理学报,2021,38(1):016005. |
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| 作者姓名： | 郭瑞贤 苏晋阳 刘淑平 |
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| 作者单位： | 太原科技大学,太原科技大学,太原科技大学太原科技大学 |
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| 基金项目： | 宽禁带半导体材料山西省重点实验室开放基金项目 |
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| 摘 要： | 基于第一性原理密度泛函理论（DFT）的广义梯度近似（GGA）的平面波赝势法（PBE），计算了4H-SiC的本征体系、过渡金属元素Mo单掺杂4H-SiC体系的电子结构、磁性和光学特性。结果表明：Mo掺杂将导致4H-SiC由本征非磁性变为p型磁性半导体材料，其带隙值由2.88 eV 变为0.55 eV。当Mo掺杂浓度为1.359×1021 cm-3时，磁矩为0.98 ，这表明掺Mo后的4H-SiC材料可以作为自旋电子元器件的备选材料。此外，Mo掺杂4H-SiC体系在（100）和（001）方向的静态介电常数分别为3.780和3.969。介质函数虚部不为0的起始点发生红移，表明掺杂使电子更容易跃迁。
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| 关 键 词： | 第一性原理 4H-SiC掺杂 电子结构 磁学性质 光学特性 |
| 收稿时间： | 2020/1/31 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2020/3/20 0:00:00 |
First principles study of magnetic and optical properties in 4H-SiC doped with transition metal Mo |
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| Guo Rui-Xian,Su Jin-Yang and Liu Shu-Ping.First principles study of magnetic and optical properties in 4H-SiC doped with transition metal Mo[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2021,38(1):016005. |
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| Authors: | Guo Rui-Xian Su Jin-Yang and Liu Shu-Ping |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | First principles study on magnetic and optical properties of Mo-doped 4H-SiC |
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