| 点缺陷对单层MoS_2电子结构及光学性质的影响研究 |
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| 引用本文： | 范梦慧,谢泉,蔡勋明,岑伟富,骆最芬,郭笑天,闫万珺.点缺陷对单层MoS_2电子结构及光学性质的影响研究[J].原子与分子物理学报,2015(3):456-462. |
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| 作者姓名： | 范梦慧 谢泉 蔡勋明 岑伟富 骆最芬 郭笑天 闫万珺 |
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| 作者单位： | 贵州民族大学理学院;贵州大学电子信息学院 |
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| 基金项目： | 贵州省科技厅创新人才基金(黔科合J字(2011)4002);贵州省科学技术基金项目;贵州省科学技术基金项目(黔科合J字LKM(2013)15号) |
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| 摘 要： | 采用基于第一性原理的贋势平面波方法,对不同类型点缺陷单层Mo S2电子结构、能带结构、态密度和光学性质进行计算.计算结果表明:单层Mo S2属于直接带隙半导体,禁带宽度为1.749e V,Mo空位缺陷V-Mo的存在使得单层Mo S2转化为间接带隙Eg=0.660e V的p型半导体,S空位缺陷V-S使得Mo S2带隙变窄为Eg=0.985e V半导体,S原子替换Mo原子S-Mo反位缺陷的存在使得Mo S2转化为带隙Eg=0.374e V半导体;Mo原子替换S原子Mo-S反位缺陷形成Eg=0.118e V直接带隙半导体.费米能级附近的电子态密度主要由Mo的4d态和s的3p态电子贡献.光学性质计算表明:空位缺陷对Mo S2的光学性质影响最为显著,可以增大Mo S2的静态介电常数、折射率n0和反射率,降低吸收系数和能量损失.
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| 关 键 词： | MoS2 第一性原理 缺陷 电子结构 光学性质 |
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