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| 五种SiO_2晶体原子和电子结构的第一性原理研究 | |
| 引用本文： | 周薇薇,崔立霞,忻晓桂,丁航晨,雷敏生,施思齐.五种SiO_2晶体原子和电子结构的第一性原理研究[J].原子与分子物理学报,2010,27(3):560-568. |
| 作者姓名： | 周薇薇 崔立霞 忻晓桂 丁航晨 雷敏生 施思齐 |
| 作者单位： | 1. 浙江理工大学光电材料与器件中心,杭州,310018 2. 江西师范大学物理系,南昌,330022 3. 浙江理工大学光电材料与器件中心,杭州,310018;高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(50802089) |
| 摘 要： | α-石英、β-石英、α-方石英、β-方石英和超石英是自然界中SiO_2常见的五种晶型.本文利用第一性原理平面波赝势方法,系统计算了五种SiO_2晶体的体弹性模量、电荷密度、电子态密度,能带结构,并和可获得的实验进行了比较.α-英、β-石英和具有空间群F d3m结构的β-方石英显示间接的带隙,而α-方石英,超石英和具有空间群P2_13和I42d结构的β-方石英显示直接的带隙.五种晶型SiO_2的带隙宽度均大于5.5 eV,都是绝缘体. |
| 关 键 词： | SiO2，电子结构，第一性原理计算 |
| 收稿时间： | 6/7/2009 12:00:00 AM |
| 修稿时间： | 9/2/2009 12:00:00 AM |
First-principles study of the atomic and electronic structures of five types of SiO2 crystals |
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| ZHOU Wei-Wei,CUI Li-Xia,XIN Xiao-Gui,DING Hang-Chen,LEI Min-Sheng,SHI Si-Qi.First-principles study of the atomic and electronic structures of five types of SiO2 crystals[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2010,27(3):560-568. | |
| Authors: | ZHOU Wei-Wei CUI Li-Xia XIN Xiao-Gui DING Hang-Chen LEI Min-Sheng SHI Si-Qi |
| Institution: | Center for Optoelectronics Materials and Devices,Zhejiang Sci-Tech University |
| Abstract: | |
| Keywords: | SiO2 electronic structure first-principles calculations |
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