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| 第一性原理计算Ga,O掺杂Ge材料的电子结构 | |
| 引用本文： | 王利,刘华松,季一勤,贺鹏飞.第一性原理计算Ga,O掺杂Ge材料的电子结构[J].原子与分子物理学报,2013,30(3). |
| 作者姓名： | 王利 刘华松 季一勤 贺鹏飞 |
| 作者单位： | 1. 同济大学航空航天与力学学院,上海200092;聊城大学传媒技术学院,聊城252059 2. 天津市薄膜光学重点实验室,天津,300192 3. 同济大学航空航天与力学学院,上海,200092 |
| 基金项目： | 国家高技术发展计划项目 |
| 摘 要： | 利用第一性原理模拟计算了Ga掺杂Ge及Ga、O共掺杂Ge材料的电子结构,对态密度、能带结构进行了分析.结果表明,Ga掺杂Ge材料会使掺杂体系表现为较强的金属性；Ga、O共掺杂会使掺杂体系在低能端出现新的态密度为零区域.通过掺杂能够改变Ge材料的电学和光学特性. |
| 关 键 词： | 电子结构 态密度 Ga掺杂Ge Ga-O共掺杂Ge |
First-principles study of the electronic structure of Ga, O codoped Ge |
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| WANG Li , LIU Hua-Song , JI Yi-Qin , HE Peng-Fei.First-principles study of the electronic structure of Ga, O codoped Ge[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2013,30(3). | |
| Authors: | WANG Li LIU Hua-Song JI Yi-Qin HE Peng-Fei |
| Abstract: | |
| Keywords: | electronic structure density of states Ga-doping Ga-O codoping Ge |
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