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| Si(001)表面In量子线的第一原理研究 | |
| 引用本文： | 戴宪起,琚伟伟,吴新华,李同伟.Si(001)表面In量子线的第一原理研究[J].原子与分子物理学报,2006,23(4):673-678. |
| 作者姓名： | 戴宪起 琚伟伟 吴新华 李同伟 |
| 作者单位： | 1. 河南师范大学物理系,新乡,453007 2. 河南师范大学物理系,新乡,453007;河南科技大学数理系,洛阳,471003 3. 河南科技大学数理系,洛阳,471003 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(60476047) |
| 摘 要： | 利用第一原理理论研究了金属In在Si(001)表面吸附的原子结构.结果表明,In原子的吸附不破坏衬底Si的二聚体化学键.在低覆盖率时,In原子在Si(001)衬底上形成有序量子线,取向沿衬底Si的二聚体化学键方向.计算结果显示相邻In线之间不存在排斥作用. |
| 关 键 词： | 量子线 铟 硅 第一原理 |
| 文章编号： | 1000-0364（2006）04-0673-06 |
| 收稿时间： | 2005-04-20 |
| 修稿时间： | 2005-04-20 |
First-principles study of in quantum wires on Si(001) surface |
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| DAI Xian-qi,JU Wei-wei,WU Xin-hua,LI Tong-wei.First-principles study of in quantum wires on Si(001) surface[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2006,23(4):673-678. | |
| Authors: | DAI Xian-qi JU Wei-wei WU Xin-hua LI Tong-wei |
| Institution: | 1. Department of Physics, Henan Normal University, Xinxiang 453007, P.R.China; 2. Department of Mathematics and Physics, Henan University of Science and Technology, Luoyang 453007, P.R.China |
| Abstract: | |
| Keywords: | Quantum wire indium silicon first-principles |
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