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| Hn^＋（n≤7）团簇）在Au—Si面垒探测器死层中的能损 | |
| 引用本文： | 杨朝文,师勉恭.Hn^＋（n≤7）团簇）在Au—Si面垒探测器死层中的能损[J].原子与分子物理学报,1999,16(1):106-110. |
| 作者姓名： | 杨朝文 师勉恭 |
| 作者单位： | [1]四川联合大学（四川大学）物理系 [2]四川联合大学（四川大学）原子核科学技术研究所 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金,国家教委专项基金,核科学基金 |
| 摘 要： | 利用Ａｕ－Ｓｉ面垒探测器是灵敏区前的死层作为靶物质，研究了Ｈｎ＾＋（ｎ≤７，２５０ｋｅＶ／ｐ－４５０ｋｅＶ／ｐ）团簇的其中的能损，得到能损比Ｒｎ〉１，且随团簇大小ｎ和平均每核子能量增加而增大。 |
| 关 键 词： | 团簇 能损 金－硅面垒 探测器死层 |
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