| GeSi／Si应变超晶格探测器的制作 |
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| 引用本文： | 刘淑平,李国正.GeSi／Si应变超晶格探测器的制作[J].应用光学,1996,17(2):37-38. |
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| 作者姓名： | 刘淑平 李国正 |
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| 作者单位： | [1]太原重机械学院 [2]西安交通大学电子系 |
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| 摘 要： | 介绍ＧｅＳｉ／Ｓｉ应变新材料探测器的制作方法，它不仅与Ｓｉ微电子工艺相兼容，而且还可调节Ｇｅ含量使其禁带宽度满足现代光纤通信器件的要求。
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| 关 键 词： | 红外探测器 光电器件 应变 超晶格 |
MAKING OF GeSi/Si STRAIN SUPERLATTICE DETECTORS |
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| Liu Shuping,Yan Jin,Yang Xingjian.MAKING OF GeSi/Si STRAIN SUPERLATTICE DETECTORS[J].Journal of Applied Optics,1996,17(2):37-38. |
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| Authors: | Liu Shuping Yan Jin Yang Xingjian |
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| Abstract: | The making method of GeSi/Si strain new material detectors is introduced, it is not only compatible with the Si microelectronic technology,but can also adjust the content of Ge so that its energy gap meets the requirements of modern optical fibre communication devices. |
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| Keywords: | GeSi/Si detector material device test |
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