106 μm激光对CCD、CMOS相机饱和干扰效果对比研究

为了对比激光对CCD、CMOS两种图像传感器的干扰效果，利用106 μm高重频激光开展了对CCD、CMOS两种相机的饱和干扰实验研究，分析了两种相机在干扰有效面积、饱和干扰面积、干扰前后图像相关度等与激光入射功率之间的关系。实验结果表明:CMOS相机达到单元像素饱和的激光功率阈值是CCD相机的20倍；要达到相同的干扰有效面积，所需的激光功率CMOS相机要大于CCD相机10倍～100倍；要达到相同的饱和像元数，所需的激光功率CMOS相机比CCD相机约大10倍～60倍。因此，CMOS相机要比CCD相机具有更好的抗106 μm激光干扰能力。