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Indium Diffusion Behavior and Application in HfO2‐Based Conductive Bridge Random Access Memory
Authors:Hao-Xuan Zheng  Chih-Cheng Shih  Ting-Chang Chang  Lin-Yi Shih  Yao-Kai Shih  Yi-Ting Tseng  Wen-Chung Chen  Wei-Chen Huang  Chih-Cheng Yang  Pei-Yu Wu  Hui-Chun Huang  Tsung-Ming Tsai  Simon M Sze
Abstract:
Keywords:complementary resistive switching  conductive bridge random access memory  indium  resistive random access memory
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