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| 在反应性Ar／N2de磁控管等离子体中添加He,Ne,Kr对沉积TiN的影响 | |
| 引用本文： | 柳柳.在反应性Ar／N2de磁控管等离子体中添加He,Ne,Kr对沉积TiN的影响[J].等离子体应用技术快报,1999(11):13-14. |
| 作者姓名： | 柳柳 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | 磁控管溅沉积 氩 氮 等离子体 薄膜沉积 涂层 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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