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| 倾斜衬底沉积涂层导体MgO缓冲层 | |
| 引用本文： | 韩超,瞿天睿,高波,郭艳群,蔡传兵.倾斜衬底沉积涂层导体MgO缓冲层[J].低温与超导,2023(9):14-20. |
| 作者姓名： | 韩超 瞿天睿 高波 郭艳群 蔡传兵 |
| 作者单位： | 上海大学物理系上海市高温超导重点实验室上海市量子与超导新物态前沿科学基地 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(52172271)； |
| 摘 要： | 本文通过倾斜衬底沉积技术在Hastelloy基底上成功生长出具有双轴织构的MgO缓冲层。系统研究了衬底倾角分别为30°和55°,薄膜厚度对MgO双轴织构、织构角以及表面形貌的影响。ISD-MgO薄膜最小面内、外半高宽分别为11.0°和6.6°。另外，800℃下，在ISD-MgO上自外延300 nm厚的MgO薄膜可以优化其表面质量，为涂层导体的制备提供高质量缓冲层。 |
| 关 键 词： | 倾斜衬底沉积 氧化镁 双轴织构 Epitaxy-MgO (EPI-MgO) |