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高温超导储能磁体导冷片涡流损耗分析
引用本文:耿国丽,方进,杨艳芳,陈铮,张宏杰,赵鑫.高温超导储能磁体导冷片涡流损耗分析[J].低温与超导,2018(2).
作者姓名:耿国丽  方进  杨艳芳  陈铮  张宏杰  赵鑫
作者单位:北京交通大学电气工程学院;中国电力科学研究院储能与电工新技术研究所;
摘    要:高温超导储能(High Temperature Superconducting Magnetic Energy Storage,HTS-SMES)磁体装置可有效提高电力系统的稳定性、改善电能质量。储能磁体是储能装置的关键部分,为提高超导储能磁体的热稳定性,通常在超导磁体中增设铜导冷片。磁体充放电时在导冷片上会产生涡流损耗,损耗的大小严重影响磁体的超导特性,因此降低导冷结构的涡流损耗是提高磁体热稳定性的关键因素。运用有限元法(FEM)分析导冷片上的涡流损耗,在Ansoft仿真软件三维瞬态场中模拟磁体充电过程中导冷片的涡流损耗,结果表明:充电模式下,完整导冷片涡流损耗为1.45W;沿径向开缺口处理后涡流损耗为0.107W;导冷片内环、中部、外环开齿槽后涡流损耗分别为0.49、0.41、0.1242W。由此可得,对于导冷片的开齿槽处理可显著降低涡流损耗,且内部开齿槽的效果最佳。

关 键 词:高温超导储能磁体  涡流损耗  导冷片  有限元

Analysis of eddy current loss of HTS-SMES conduction-cooled plate
Abstract:
Keywords:
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