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超导接收前端用制冷HEMT低噪放电控组件设计
引用本文:肖南,葛玲,刘文其,孙婷婷,宾峰.超导接收前端用制冷HEMT低噪放电控组件设计[J].低温与超导,2019,47(8):42-47.
作者姓名:肖南  葛玲  刘文其  孙婷婷  宾峰
作者单位:中国电子科技集团有限公司超导电子技术重点实验室,中国电子科技集团有限公司第十六研究所,合肥230088;中国电子科技集团有限公司超导电子技术重点实验室,中国电子科技集团有限公司第十六研究所,合肥230088;中国电子科技集团有限公司超导电子技术重点实验室,中国电子科技集团有限公司第十六研究所,合肥230088;中国电子科技集团有限公司超导电子技术重点实验室,中国电子科技集团有限公司第十六研究所,合肥230088;中国电子科技集团有限公司超导电子技术重点实验室,中国电子科技集团有限公司第十六研究所,合肥230088
摘    要:超导接收前端以超导滤波器和高电子迁移率晶体管(HEMT)低温放大器构成核心微波电路,其HEMT放大器在低温下拥有极低的工作噪声,但对偏置供电的要求很高,只有在特定偏置下,系统才拥有最佳的工作稳定度、高增益和低噪声。本文针对多信道超导接收前端,设计了一种多通道、模块化,带程控通讯的超导接收前端用HEMT低噪放电控组件,为设备核心射频通道提供供电、切换和远程控制。其供电偏置可调、供电纹波≤3 mV,并提供多路TTL电平接口,支持RS485数据通讯控制,便于模块化安装,在超导接收前端分机中工作状况良好。

关 键 词:超导接收前端  高电子迁移率晶体管  偏置电源  电控组件

Design of cryogenic HEMT low noise amplifier power control module for superconducting receiver front end
Abstract:
Keywords:
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