| 电子束蒸发在不同Ar气氛下外退火制备MgB2超导薄膜 |
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| 引用本文： | 吴克,余增强,张解东,王守证,聂瑞娟,王福仁.电子束蒸发在不同Ar气氛下外退火制备MgB2超导薄膜[J].低温物理学报,2006,28(3):212-218. |
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| 作者姓名： | 吴克 余增强 张解东 王守证 聂瑞娟 王福仁 |
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| 作者单位： | 北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871 |
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| 基金项目： | 教育部跨世纪优秀人才培养计划 |
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| 摘 要： | 制备高质量的MgB2薄膜是实现MgB2超导电子器件应用的前提和基础.我们用电子束蒸发B膜和Mg/B多层膜为前驱然后后退火的方法,分别在高温区(~900℃)和中温区(~750℃)成功获得了MgB2超导薄膜.改变退火的Ar气压条件,采用B膜前驱退火的样品Tc可达到38K以上,转变宽度0.3K.Mg/B多层膜的结果尽管Tc稍低(Tc~35K),但薄膜表面更加均匀,且避免了高温下Mg蒸汽污染的问题.对于两种前驱退火中观察到的完全不同的退火气压影响,我们认为是与其各自的超导成相过程相联系的,在此基础上我们对退火气压效应给出了自己的分析和解释,为今后进一步细致研究退火过程中的薄膜生长机制提供了参考.
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| 关 键 词： | MgB2薄膜 电子束蒸发 外退火 超导成相 |
| 收稿时间： | 11 28 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 03 7 2006 12:00AM |
SUPERCONDUCTING MgB2 FILMS VIA EX-SITU ANNEALING UNDER DIFFERENT Ar PRESSURE PREPARED BY E-BEAM EVAPORATION |
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| Wu Ke,Yu Zeng-Qiang,ZHang Jie-Dong,Wang SHou-ZHeng,Nie Rui-Juan,Wang Fu-Ren.SUPERCONDUCTING MgB2 FILMS VIA EX-SITU ANNEALING UNDER DIFFERENT Ar PRESSURE PREPARED BY E-BEAM EVAPORATION[J].Chinese Journal of Low Temperature Physics,2006,28(3):212-218. |
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| Authors: | Wu Ke Yu Zeng-Qiang ZHang Jie-Dong Wang SHou-ZHeng Nie Rui-Juan Wang Fu-Ren |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MgB_2 thin films E-beam evaporation ex-situ annealing superconducting phase formation |
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