| 沉积温度、膜厚对Ce_(0.8)Gd_(0.2)O_(2-δ)薄膜的微结构和电导率影响 |
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| 引用本文： | 杨昊,金绍维,麦熾良,李广.沉积温度、膜厚对Ce_(0.8)Gd_(0.2)O_(2-δ)薄膜的微结构和电导率影响[J].低温物理学报,2010(5). |
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| 作者姓名： | 杨昊 金绍维 麦熾良 李广 |
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| 作者单位： | 安徽省信息材料与器件重点实验室;安徽大学物理与材料科学学院;香港理工大学应用物理系; |
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| 基金项目： | 香港特别行政区高校董事会基金(批准号:B-Q895); 安徽省教育厅重点项目基金(批准号:KJ2009A124)资助的课题 |
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| 摘 要： | 采用脉冲激光沉积法在MgO(100)单晶衬底上制备了Ce0.8Gd0.2O2-δ(CGO)系列薄膜,沉积温度与膜厚对CGO/MgO薄膜的微结构及离子电导率的影响分别被研究.X-ray衍射(2θ-ω线扫描,ω-摇摆曲线,(-扫描)测量显示,随着沉积温度的升高,CGO薄膜的微结构由多晶薄膜演变到外延膜.对沉积在730℃的CGO薄膜(510nm)中较大的离子电导归因于薄膜中较小的晶界密度.对高质外延的CGO薄膜(沉积730℃),随着膜厚的减小,其快速减小的激活能及增大的离子电导可解释为CGO/MgO界面平面的应变态和氧空位的无序分布所致.我们的结果表明,为获得高离子电导的CGO薄膜,最佳的沉积温度和膜厚是需要考虑的.
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| 关 键 词： | CGO薄膜 结构表征 离子电导 |
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