| 退火温度和溅射时间对磁控溅射法制备Mg2Si薄膜的影响 |
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| 引用本文： | 陈茜,马新宇,廖杨芳,肖清泉,谢泉.退火温度和溅射时间对磁控溅射法制备Mg2Si薄膜的影响[J].低温物理学报,2019,41(2):129-134. |
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| 作者姓名： | 陈茜 马新宇 廖杨芳 肖清泉 谢泉 |
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| 作者单位： | 贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所,贵阳,550025;贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所,贵阳,550025;贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所,贵阳,550025;贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所,贵阳,550025;贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所,贵阳,550025 |
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| 基金项目： | 贵州省留学回国人员科技活动择优资助项目;贵州省科技计划项目 |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射法和原位退火工艺在钠钙玻璃衬底上制备 Mg2Si 薄膜。首先在钠钙玻璃衬底上交替溅射沉积两层Si、Mg 薄膜，冷却至室温后原位退火4 h，制备出一系列 Mg2Si 薄膜样品。通过 X 射线衍射仪(XRD) 、 扫描电子显微镜(SEM)对所得薄膜样品的晶体结构和表面形貌进行表征， 讨论了退火温度和溅射Si/Mg/Si/Mg 时间对制备 Mg2Si 薄膜的影响。结果表明，采用磁控溅射法在钠钙玻璃衬底上交替溅射两层Si、Mg 薄膜， 通过原位退火方式成功制备出单一相的 Mg2Si 薄膜，溅射Si/Mg/Si/Mg 的时间为12.5/9/12.5/9 min，退火温度为550 ℃ 时，制备的 Mg2Si 薄膜结晶度最好，连续性和致密性最强。这对后续 Mg2Si 薄膜器件的设计与制备提供了重要的参考。
积两层Si、Mg 薄膜, 冷却至室温后原位退火4 h, 制备出一系列 Mg2Si 薄膜样品. 通过 X 射线衍射仪(XRD) 、 扫描
电子显微镜(SEM)对所得薄膜样品的晶体结构和表面形貌进行表征, 讨论了退火温度和溅射Si/Mg/Si/Mg 时间
对制备 Mg2Si 薄膜的影响. 结果表明, 采用磁控溅射法在钠钙玻璃衬底上交替溅射两层Si、Mg 薄膜, 通过原位退火
方式成功制备出单一相的 Mg2Si 薄膜, 溅射Si/Mg/Si/Mg 的时间为12.5/9/12.5/9 min, 退火温度为550 ℃ 时, 制
备的 Mg2Si 薄膜结晶度最好, 连续性和致密性最强. 这对后续 Mg2Si 薄膜器件的设计与制备提供了重要的参考.
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| 关 键 词： | 磁控溅射 原位退火 交替溅射 退火温度 溅射时间 |
The Effectsof Annealing TemperatureandSputtering Timeon The Preparationof Mg2Sifilms by MagnetronSputtering |
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| CHEN Qian,MA Xinyu,LIAO Yangfang,XIAO Qingquan and XIE Quan.The Effectsof Annealing TemperatureandSputtering Timeon The Preparationof Mg2Sifilms by MagnetronSputtering[J].Chinese Journal of Low Temperature Physics,2019,41(2):129-134. |
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| Authors: | CHEN Qian MA Xinyu LIAO Yangfang XIAO Qingquan and XIE Quan |
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| Institution: | Institute of New Optoelectronic Materials and Technology , Collegeof Big date and Information Engineering ,Guizhou University , Guiyang 550025, China,Institute of New Optoelectronic Materials and Technology , Collegeof Big date and Information Engineering ,Guizhou University , Guiyang 550025, China,Institute of New Optoelectronic Materials and Technology , Collegeof Big date and Information Engineering ,Guizhou University , Guiyang 550025, China,Institute of New Optoelectronic Materials and Technology , Collegeof Big date and Information Engineering ,Guizhou University , Guiyang 550025, China and Institute of New Optoelectronic Materials and Technology , Collegeof Big date and Information Engineering ,Guizhou University , Guiyang 550025, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Magnetron sputtering in-situ annealing alternate sputtering annealing temperature sputtering time |
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