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在层状超导体2H-NbSe2中的重入现象
引用本文:张波,田明亮,张裕恒.在层状超导体2H-NbSe2中的重入现象[J].低温物理学报,2000,22(6):401-410.
作者姓名:张波  田明亮  张裕恒
作者单位:中国科学技术大学结构分析开放实验室,合肥,230026
摘    要:我们测量了纯2H-NbSe2单晶样品在磁场下的直流电输运行为,得到了有重大现象的电阻随磁场变化R(H)、电阻随温度变化R(T)以及临界电流随磁场变化Ic(H)关系曲线。我们还采用六电极法同时测量了上、下表面的电势,得到了上、下表面重入不同步的新结果,这个新的实验结果可以由磁通动力学理论,结合Anderson磁通需动模型给予很好的解释。

关 键 词:层状超导体  重入现象  二硒化铌  临界电流

RESISTANCE REENTRANCE IN LAYERED SUPERCONDUCTOR 2H-NbSe2
B. Zhang,M. L. Tian,Y. H. Zhang.RESISTANCE REENTRANCE IN LAYERED SUPERCONDUCTOR 2H-NbSe2[J].Chinese Journal of Low Temperature Physics,2000,22(6):401-410.
Authors:B Zhang  M L Tian  Y H Zhang
Abstract:
Keywords:
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