| 基于NbN,AlN技术的体声波器件研究 |
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| 引用本文： | 谢仁艿,康琳,陈亚军,韦戌,吴培亨.基于NbN,AlN技术的体声波器件研究[J].低温物理学报,2005,27(3). |
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| 作者姓名： | 谢仁艿 康琳 陈亚军 韦戌 吴培亨 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 体声波滤波器由于其低插损、小尺寸、高带外抑制等特性,随着第三代移动通信以及蓝牙技术的发展而得到广泛研究,而MEMS技术和压电薄膜制备技术的进一步发展使高性能的体声波滤波器制作成为可能. 我们以单晶MgO作为器件衬底,MgO/NbN多层结构作为AlN薄膜体声波器件的反射器,NbN/AlN/NbN三层结构为谐振器.在这样的多层结构的设计中由于各种材料之间的晶格失配小,可以获得从几十纳米到几百纳米厚度不等的单晶AlN薄膜.通过控制AlN薄膜和NbN薄膜的不同厚度,可以获得不同频段范围的谐振器. 压电薄膜的质量,以及体声波在多层结构界面上的能量损耗,直接影响到谐振器电学性能.基于AlN材料的压电性能,设计了NbN/AlN/NbN三层结构的谐振器,并进行了数值模拟.
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| 关 键 词： | 体声波 谐振器 薄膜 |
STUDY OF BAW RESONATOR USING TECHNOLOGY OF NbN AlN |
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| XIE REN-NAI,KANG Lin,CHEN Ya-jun,WEI Xu,WU PEI-HENG.STUDY OF BAW RESONATOR USING TECHNOLOGY OF NbN AlN[J].Chinese Journal of Low Temperature Physics,2005,27(3). |
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| Authors: | XIE REN-NAI KANG Lin CHEN Ya-jun WEI Xu WU PEI-HENG |
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