| Ni基带上的氧化物过渡层制备 |
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| 引用本文： | 陶伯万,吴键,陈寅,熊杰,李言荣.Ni基带上的氧化物过渡层制备[J].低温物理学报,2005,27(1):732-737. |
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| 作者姓名： | 陶伯万 吴键 陈寅 熊杰 李言荣 |
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| 作者单位： | 电子科技大学微电子与固体电子学院,610054 |
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| 摘 要： | 本文采用溅射沉积方法在双轴织构的Ni—W5％基带上制备了CeO2和Y2O3薄膜．研究表明CeO2薄膜在Ni基带上的外延方式受生长速率、生长温度的控制．在快速沉积情况下，CeO2薄膜为（111）取向，在沉积速率较低时，以（001）取向为主．CeO2薄膜沉积过程中，可以有效避免Ni的氧化．在Y2O3的沉积过程中，Ni基带的氧化不可避免，但其氧化物也有良好的取向．
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| 关 键 词： | 氧化物 过渡层 外延 反应溅射 |
| 收稿时间： | 04 5 2005 12:00AM |
DEPOSITION OF OXIDE BUFFER LAYER ON RABiTS Ni TAPE |
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| TAO BO-WAN,WU JIAN,CHEN YAN,XIONG JIE,LI YAN-RONG.DEPOSITION OF OXIDE BUFFER LAYER ON RABiTS Ni TAPE[J].Chinese Journal of Low Temperature Physics,2005,27(1):732-737. |
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| Authors: | TAO BO-WAN WU JIAN CHEN YAN XIONG JIE LI YAN-RONG |
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| Institution: | School of Microelectronic and Solid State Electronic, UESTC, Chengdu 610054 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | oxide buffer layer epitaxy reactive sputtering |
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