| 蓝宝石衬底上射频溅射法生长CeO2外延薄膜研究 |
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| 引用本文： | 熊杰,陶伯万,谢廷明,陈家俊,刘兴钊,张鹰,李金隆,李言荣.蓝宝石衬底上射频溅射法生长CeO2外延薄膜研究[J].低温物理学报,2005,27(3):234-240. |
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| 作者姓名： | 熊杰 陶伯万 谢廷明 陈家俊 刘兴钊 张鹰 李金隆 李言荣 |
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| 作者单位： | 电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054 |
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| 摘 要： | 实验采用射频溅射法在(1 102)蓝宝石基片上制备(00l)取向CeO2外延薄膜.低温、低溅射功率都会导致CeO2薄膜呈(111)取向生长.当基片温度在700℃～750℃,溅射功率在100～150W范围内能够制备得到高质量(00l)取向CeO2缓冲层.所制备的CeO2薄膜具有优良的面内面外取向性和平整的表面.用这些缓冲层作为生长面制备得到的YBa2Cu3O7-δ(YBCO)超导薄膜为完全(00l)取向,且面内取向性良好,并具有优越的电学性能:其临界转变温度(Tc)为89.5K,临界电流密度Jc(77K,0T)约1.8×106 A/cm2,微波表面电阻Rs(77K,10GHz)大约为0.50mΩ,能较好的满足微波器件应用中的需要.
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| 关 键 词： | YBCO超导薄膜 CeO2缓冲层 外延生长 |
| 收稿时间： | 11 12 2004 12:00AM |
| 修稿时间： | 2004年11月12 |
RESEARCH OF EPITAXIAL CeO2 LAYER'S GROWTH ON R-CUT SAPPHIRE BY RF SPUTTERING |
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| XIONG Jie,TAO Bo-wan,XIE Yan-ming,CHEN JIA-JUN,LIU XIN-ZHAO,ZHANG YING,LI JIN-LONG,LI YAN-RONG.RESEARCH OF EPITAXIAL CeO2 LAYER''''S GROWTH ON R-CUT SAPPHIRE BY RF SPUTTERING[J].Chinese Journal of Low Temperature Physics,2005,27(3):234-240. |
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| Authors: | XIONG Jie TAO Bo-wan XIE Yan-ming CHEN JIA-JUN LIU XIN-ZHAO ZHANG YING LI JIN-LONG LI YAN-RONG |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | YBCO thin films CeO2 buffer layer epitaxial growth |
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