| 电子束快退火法制备MgB_2薄膜及性质研究 |
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| 引用本文： | 戴倩,孔祥东,冯庆荣,韩立,张怀,杨倩倩,聂瑞娟,王福仁.电子束快退火法制备MgB_2薄膜及性质研究[J].低温物理学报,2013(1):1-6. |
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| 作者姓名： | 戴倩 孔祥东 冯庆荣 韩立 张怀 杨倩倩 聂瑞娟 王福仁 |
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| 作者单位： | 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学应用超导研究中心;中国科学院电工研究所 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:10874005,11174010,51177160);北京市自然科学基金(批准号:2102023);国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CD601004,2011CB605904)资助的课题~~ |
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| 摘 要： | 利用电子束快退火法制备了MgB2超导薄膜.该方法利用高能电子束,在中真空条件下照射Mg-B多层前驱膜,照射时间维持在1s以下.在电子束的作用下,前驱膜中的Mg和B迅速反应,形成MgB2相.整个退火过程没有Mg蒸气与氩气保护,极短的退火时间有效地限制了前驱膜中Mg的流失和Mg与其它物质的反应.与传统制备工艺相比,该方法避免了混合物理化学气相沉积法中乙硼烷的使用;省去异位退火法中提供高Mg蒸气压的限制,避免在有Mg块存在情况下退火后样品表面存在Mg污染的问题.利用该方法在SiC(001)衬底上生长了100nm厚的MgB2薄膜,其超导转变温度Tc～35K,均方根粗糙度为3.6nm,临界电流密度Jc(5K,0T)=3.8×106 A/cm2.该方法对MgB2薄膜的大规模工业生产提供了一个新思路.
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| 关 键 词： | 电子束退火 MgB2 超导薄膜 |
STUDY OF MgB2 THIN FILM PREPARED BY RAPID ELECTRON BEAM ANNEALING |
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| DAI Qian,KONG Xiang-dong,FENG Qing-rong,HAN Li,ZHANG Huai,YANG Qian-qian,NIE Rui-juan,WANG Fu-ren.STUDY OF MgB2 THIN FILM PREPARED BY RAPID ELECTRON BEAM ANNEALING[J].Chinese Journal of Low Temperature Physics,2013(1):1-6. |
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| Authors: | DAI Qian KONG Xiang-dong FENG Qing-rong HAN Li ZHANG Huai YANG Qian-qian NIE Rui-juan WANG Fu-ren |
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| Institution: | 1School of Physics,State Key Laboratory for Artificial Microstructures and Mesoscopic Physics,Peking University,Beijing 100871;2Institute of Electrical Engineering,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100190 |
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| Abstract: | |
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