电子型超导体Pr1.85Ce0.15CuO4—δ中Cu位V替代对超导电性的影响 |
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引用本文: | 刘芬,曹世勋,黎文峰,李领伟,池长昀,敬超,张金仓.电子型超导体Pr1.85Ce0.15CuO4—δ中Cu位V替代对超导电性的影响[J].低温物理学报,2005,27(1):432-438. |
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作者姓名: | 刘芬 曹世勋 黎文峰 李领伟 池长昀 敬超 张金仓 |
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作者单位: | 上海大学物理系,上海市上大路99号 200444 |
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基金项目: | 本工作得到国家自然科学基金项目(批准号:10274049)、上海市教育委员会曙光计划项目(批准号;035G35)和上海市教育委员会重点学科建设项目的资助. |
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摘 要: | 本文研究了Pr1.85Ce0.15CuO4-δ(PCZA))中V^4+离子替代Cu^2+离子后对其超导电性的影响.Pr1.85Ce0.15Cu1-xVxO4-δ(x=0~0.10)电阻率测量结果显示:微量(x≤0.04)V^4+离子替代Cu^2+离子可以改善样品的超导电性;随着替代量的增加,体系的超导电性逐渐被抑制,x=0.08时超导电性消失.我们主要从样品的微观结构和载流子浓度两个方面的变化分析了V^4+替代Cu^2+对PCCO超导电性的影响机制.霍尔系数实验结果表明,替代量较少时,体系中载流子浓度随着x的增加而增加,有助于超导电性的改善,但是当替代量增加到一定程度时,晶格畸变程度的增大和顶点氧的出现,抑制了超导电性.
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关 键 词: | 电子型高温超导体 超导电性 微观结构 载流子浓度 |
收稿时间: | 04 3 2005 12:00AM |
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