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带阻挡层的Bi2223/Ag高温超导带材的临界电流与磁滞损耗
引用本文:胡立发,周廉,李成山,郑会玲,段镇忠,张平祥.带阻挡层的Bi2223/Ag高温超导带材的临界电流与磁滞损耗[J].低温物理学报,2001,23(3):222-228.
作者姓名:胡立发  周廉  李成山  郑会玲  段镇忠  张平祥
作者单位:1. 东北大学材料冶金学院;西北有色金属研究院超导所
2. 西北有色金属研究院超导所,
基金项目:国家超导技术联合研究发展中心 (批准号 :CD0 10 10 1)资助的项目
摘    要:在Bi2223/Ag多芯导体中引入氧化物阻挡层用来提高基体的横向电阻率,即用具有高温稳定性且不与银基体反应的CaCuCO2和Y2BaCuOx等绝缘材料包覆在单芯丝周围,形成高电阻率的阻挡层,使超导体的交流损耗明显降低,结果表明引入阻挡层后超导体的临界电流密度没有明显退降。另外,我们还回顾了国内外的进展,研究了带阻挡层超导体的磁场牧场生和外加磁场对交流损耗的影响。

关 键 词:Bi2223/Ag  高温超导带材  临界电流  磁滞损耗  阻挡层  铋2223/银
修稿时间:2001年2月15日

THE CRITICAL CURRENT DENSITY AND MAGNETIC LOSSES OF Bi2223/Ag HTS TAPES WITH OXIDE BARRIERS
Abstract:
Keywords:
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