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混合物理化学气相沉积法(HPCVD)制备的MgB2超导厚膜样品的成分分析
引用本文:贾璋,郭蕙璞,吕莹,王新峰,陈晋平,徐军,王晓楠,朱萌,冯庆荣.混合物理化学气相沉积法(HPCVD)制备的MgB2超导厚膜样品的成分分析[J].低温物理学报,2005,27(1):46-53.
作者姓名:贾璋  郭蕙璞  吕莹  王新峰  陈晋平  徐军  王晓楠  朱萌  冯庆荣
作者单位:北京大学物理学系和国家人工微结构和界观物理重点实验室,北京,100871
基金项目:国家超导中心(项目编号:G1999064602)及北京大学"挑战杯"基金和校长基金资助的课题.
摘    要:本介绍了基于混合物理化学气相沉积法(HPCVD),以B2H6为硼源,在(000l)取向的Al2O3单晶衬底上,制备了MgB2超导体厚膜样品.该样品平均厚度约为40μm.其Tc(onset)=39K,Tc(0)=37.2K.X光衍射图显示该膜沿(101)方向生长,具有少量Mg和MgO杂相.SEM图像、X射线能量损失谱以及背散射电子衍射图证实了这两种杂相的存在,并显示该样品成分富镁.样品表面的镁与空气接触形成MgO膜,在一定程度上阻止了MgB2样品进一步被氧化.对于MgB2厚膜成膜过程及反应机理,我们提出了一种新的推断.

关 键 词:MgB2超导膜  SEM图  EDX  X射线能谱  混合物理化学气相沉积法
修稿时间:2004年3月26日

THE STUDY ON COMPONENT FOR MgB2 THICK FILM PREPARED BY HPCVD
Abstract:
Keywords:MgB_2 film  SEM image  EDX  X-ray diffraction patterns
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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