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He+ 辐照剂量对钨纳米丝生长的影响
引用本文:黄东方,倪维元,范红玉,付震琳,黄香露,吴彤,焦海生,牛金海.He+ 辐照剂量对钨纳米丝生长的影响[J].低温物理学报,2020(6):273-278.
作者姓名:黄东方  倪维元  范红玉  付震琳  黄香露  吴彤  焦海生  牛金海
作者单位:大连民族大学,辽宁省等离子体技术重点实验室,大连,116600,大连民族大学,辽宁省等离子体技术重点实验室,大连,116601,大连民族大学,辽宁省等离子体技术重点实验室,大连,116602,大连民族大学,辽宁省等离子体技术重点实验室,大连,116603,大连民族大学,辽宁省等离子体技术重点实验室,大连,116604,大连民族大学,辽宁省等离子体技术重点实验室,大连,116605,大连民族大学,辽宁省等离子体技术重点实验室,大连,116606,大连民族大学,辽宁省等离子体技术重点实验室,大连,116607
摘    要:采用低能(50eV)大流强的He+ 辐照多晶钨材料,辐照温度1420±50K,辐照剂量从1.0×1024ions/m2逐渐增加到1.0×1027ions/m2,用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、称重等手段分析辐照后钨样品表面微观结构的形貌改变及质量损失的情况,系统的研究了He+ 辐照剂量对钨纳米丝生长的影响.结果表明,随着He+ 辐照剂量的增加,钨纳米丝的厚度最终达到饱和,由于辐照后钨表面存在致密的钨纳米丝层,进而导致到达钨纳米丝层底部的He+ 数量和能量降低,从而导致钨纳米丝生长速率显著降低,且当钨纳米丝生长速率和和钨纳米丝的侵蚀速率相等时,钨纳米丝生长将会达到平衡.

关 键 词:金属学  钨纳米丝生长  辐照  侵蚀

Effect of the He+ Irradiation Dose on W Nano-fuzz Growth
HUANG Dongfang,NI weiyuan,FAN hongyu,FU zhenlin,HUANG xianglu,WU tong,JIAO haisheng and NIU jinhai.Effect of the He+ Irradiation Dose on W Nano-fuzz Growth[J].Chinese Journal of Low Temperature Physics,2020(6):273-278.
Authors:HUANG Dongfang  NI weiyuan  FAN hongyu  FU zhenlin  HUANG xianglu  WU tong  JIAO haisheng and NIU jinhai
Institution:Liaoning Key Laboratory of Plasma Technology, Dalian Minzu University, Dalian 116600, China,Liaoning Key Laboratory of Plasma Technology, Dalian Minzu University, Dalian 116601, China,Liaoning Key Laboratory of Plasma Technology, Dalian Minzu University, Dalian 116602, China,Liaoning Key Laboratory of Plasma Technology, Dalian Minzu University, Dalian 116603, China,Liaoning Key Laboratory of Plasma Technology, Dalian Minzu University, Dalian 116604, China,Liaoning Key Laboratory of Plasma Technology, Dalian Minzu University, Dalian 116605, China,Liaoning Key Laboratory of Plasma Technology, Dalian Minzu University, Dalian 116606, China and Liaoning Key Laboratory of Plasma Technology, Dalian Minzu University, Dalian 116607, China
Abstract:
Keywords:metallography  W Nano-fuzz growth  irradiation  erosion
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