| SNOM应用于光电材料和器件的光学特性的探测和表征 |
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| 引用本文： | 王佳,徐铁军.SNOM应用于光电材料和器件的光学特性的探测和表征[J].光学技术,2002,28(5):412-418. |
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| 作者姓名： | 王佳 徐铁军 |
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| 作者单位： | 清华大学,精密仪器系精密测试技术及仪器国家重点实验室,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划项目 (973)资助 (项目号 :G1 9990 330 0 0 2 )，清华大学 985学科建设光存储项目资助 |
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| 摘 要： | 介绍了近场光学及近场探测的原理 ,给出了其用于光电器件研究中的一些结果。近场光学方法具有超衍射分辩的本领和纳米局域光场探测的能力 ,适用于多种光电材料的探测与表征 ,包括 :LD、光纤波导器件、光子晶体器件等。纳米局域光场和倏逝场的探测发现了许多远场探测无法得到的结果 ,为光电器件纳米结构的研究提供了有力证据
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| 关 键 词： | 纳米光学 近场光学 探测与表征 半导体激光器 光子晶体 |
| 文章编号： | 1002-1582(2002)05-0412-07 |
| 修稿时间： | 2001年9月18日 |
Characterization for optical properties of photonic materials and devices by SNOM |
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| WANG Jia,XU Tie-jun.Characterization for optical properties of photonic materials and devices by SNOM[J].Optical Technique,2002,28(5):412-418. |
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| Authors: | WANG Jia XU Tie-jun |
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| Abstract: | Due to the invention of scanning near-field optical microscopy(SNOM),resolution at 50-100nm level using visible or near infrared light is now practical. The SNOM technique as well as its application to the characterization of photonic materials and devices are reviewed. Several examples such as semiconductors, waveguide device and photonic crystal are discussed. Detection of nanometer location of optical field and evanescent field can show many results which can not be found in far field, provides an effective technique for characterization of photoelectrical materials in nanometer scale. |
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| Keywords: | nano-optics near-field optics detection and characterization semiconductor laser diode photonic crystal |
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