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转角双层石墨烯中的势杂质效应(英文)
引用本文:刘泽众,王达.转角双层石墨烯中的势杂质效应(英文)[J].物理学进展,2023(5):151-160.
作者姓名:刘泽众  王达
作者单位:1. 南京大学物理学院,固体微结构物理国家重点实验室;2. 人工微结构科学与技术协同创新中心,南京大学
基金项目:supported by National Key R&D Program of China (Grant No. 2022YFA1403201);;National Natural Science Foundation of China (Grant No. 12274205 and No.11874205);
摘    要:近年来,平带在转角双层石墨烯(TBG)中的发现引起了越来越多的关注。在这项工作中,我们报告了我们对这个平带系统中杂质效应的研究,这对于真实材料来说是一个重要问题。通过采用Lanczos递归方法,我们求解了杂质附近的局域态密度(LDOS)。我们发现,对于大尺寸的杂质,一系列束缚态在杂质内部形成,LDOS中平带所对应的峰在杂质边界附近被压制,而在杂质内部由于杂质势的作用而发生平移。随着杂质尺寸变小,其对平带的影响变弱,这符合其大尺寸Wannier函数的预期。这个特性与通常具有小尺寸局域Wannier轨道的平带系统有所不同,表明TBG中的平带对小尺寸杂质更加稳定。

关 键 词:杂质效应  转角双层石墨烯  局域态密度  平带
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