| 应力对铋系铁电薄膜性能影响的研究进展 |
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| 引用本文： | 吴秀梅,吕笑梅,朱劲松.应力对铋系铁电薄膜性能影响的研究进展[J].物理学进展,2006,26(3):490-494. |
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| 作者姓名： | 吴秀梅 吕笑梅 朱劲松 |
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| 作者单位： | 南京大学固体微结构国家重点实验室,物理系,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家重点基础研究发展计划(973计划);江苏省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 应力普遍存在于铁电薄膜中，是影响薄膜性能和薄膜电子器件可靠性的一个重要参数。本文系统介绍了本小组近年来所进行的应力对铋系铁电薄膜（Bi3.25La0.75Ti3O12，Bi3.15Nd0.85Ti3O12和SrBi2Ta2O9）的铁电性能及与铁电存储有关的开关、疲劳性能等影响的研究。结果表明：张应力有利于增大薄膜的剩余极化和开关电荷量，而压应力却使得两者都降低。还发现：应力对薄膜的开关时间、矫顽场、疲劳性能等都有影响。其结果都与“应力作用下薄膜内铁电畴的重新取向”有关。
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| 关 键 词： | 应力效应 铋系铁电薄膜 铁电性能 开关与疲劳 |
| 文章编号： | 1000-0542（2006）03、04-0490-05 |
| 收稿时间： | 2006-08-23 |
| 修稿时间： | 2006年8月23日 |
PROGRESS IN THE STUDIES OF STRESS EFFECT ON THE PROPERTIES OF FERROELECTRIC THIN FILMS |
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| WU Xiu-mei,LU Xiao-mei,ZHU Jin-song.PROGRESS IN THE STUDIES OF STRESS EFFECT ON THE PROPERTIES OF FERROELECTRIC THIN FILMS[J].Progress In Physics,2006,26(3):490-494. |
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| Authors: | WU Xiu-mei LU Xiao-mei ZHU Jin-song |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | stress effect Bi-system thin films ferroelectric properties switching and fatigue |
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