提高Si基材料高效率发光途径的探索 |
| |
引用本文: | 王启明.提高Si基材料高效率发光途径的探索[J].物理学进展,1996,16(1):75-88. |
| |
作者姓名: | 王启明 |
| |
作者单位: | 集成光电子国家重点实验室,中国科学院半导体研究所 |
| |
摘 要: | 近来人们对发展硅基光电子学作出了很大的努力。众所周知,如同晶体管是微电子学的核心器件一样,发光器件将是光电子学的关键部件。然而由于硅属间接带隙材料,发光效率比直接带隙的GaAs等化合物材料低三个多量级,因此如何在硅基材料系实现高效率发光,已成为发展硅基光电子学的重要课题,它吸收着国际上众多科学、工程家们的巨大兴趣。能带工程的应用可能将提供一条有望的途径。本文总结评述了近几年来在SiGe量子阱能带工程,Er3+离子注入发光中心掺杂工程、直接带隙β—FeSi2材料工程以及热电子跃迁发光带内子能级工程中所取得的重要进展。本文同时对其未来的发展提出了若干设想与展望。
|
关 键 词: | 硅基材料 光电子学 发光效率 光电子材料 |
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录! |
|