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| 稀磁半导体的研究进展 | |
| 引用本文： | 赵建华,邓加军,郑厚植.稀磁半导体的研究进展[J].物理学进展,2011,27(2):109-150. |
| 作者姓名： | 赵建华 邓加军 郑厚植 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室, 北京100083 |
| 摘 要： | 本文主要介绍了III-V族稀磁半导体(Ga,Mn)As的研究进展,包括(Ga,Mn)As的生长制备、基本磁性质、磁输运特征、磁光性质、磁性起源、相关的异质结构和自旋注入等,同时还简单介绍了其它稀磁半导体如IV族、III-VI族和IV-VI族等稀磁半导体的研究进展,在文章的最后描述了理想的稀磁半导体应该具备的特征以及对未来的展望。 |
| 关 键 词： | 半导体自旋电子学 稀磁半导体 异质结构 自旋注入 |
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