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中子辐照对GdBa2Cu3O7-单畴超导性能的影响
引用本文:张红,李广,周桃飞,刘勇,李晓光,陈羽.中子辐照对GdBa2Cu3O7-单畴超导性能的影响[J].化学物理学报,2007,20(3):324-328.
作者姓名:张红  李广  周桃飞  刘勇  李晓光  陈羽
作者单位:合肥微尺度物质科学国家实验室,中国科学技术大学物理系,合肥 230026,合肥微尺度物质科学国家实验室,中国科学技术大学物理系,合肥 230026,合肥微尺度物质科学国家实验室,中国科学技术大学物理系,合肥 230026,合肥微尺度物质科学国家实验室,中国科学技术大学物理系,合肥 230026,合肥微尺度物质科学国家实验室,中国科学技术大学物理系,合肥 230026,深圳大学核技术研究所,深圳 518060
摘    要:研究了中子辐照对GdBa2Cu3O7-±单畴超导性能的影响,使用的辐照剂量为1015 n/cm2.通过高分辨电镜观察发现中子辐照产生球形的缺陷和小的点缺陷,这些球形缺陷的尺寸在4?7 nm,与高温超导相干长度相当,并且在退火过程中稳定存在,而小的点缺陷在退火过程中消失.磁测量结果显示中子辐照使样品的超导电性严重退化,临界电流密度下降并且鱼尾峰效应几乎消失.然而对辐照的样品退火处理后,其超导电性明显改善,临界电流密度显著提高并超过了未经辐照的样品,鱼尾峰也向高场移动.这些结果表明中子辐照和退火处理使GdBa2Cu3O7-±单畴样品中引入了有效的磁通钉扎中心(即球型的缺陷)从而导致其临界电流密度大幅提高.

关 键 词:中子辐照,超导,临界电流密度
收稿时间:2006/12/31 0:00:00
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