钆在MgO(110)薄膜上的吸附 |
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引用本文: | 孙玉明,徐彭寿.钆在MgO(110)薄膜上的吸附[J].化学物理学报,1998,11(4):289-293. |
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作者姓名: | 孙玉明 徐彭寿 |
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作者单位: | 中国科学技术大学同步辐射实验室 |
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摘 要: | 为研究钆在MgO薄膜表面吸附的特性,首先在经硫代乙酰胺(CH3CSNH2)处理的GaAs(100)表面外延生长P型半导体MgO(110)薄膜,然后利用同步辐射光电子能谱研究钆在此表面的吸附,结果发现由于Gd/MgO界面的能够弯曲使Mg2p向高结合能端位移0.4eV,而且从实验结果推断,钆与衬底反应很弱,并且主要以团簇的形式吸附。
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关 键 词: | 钆 质量作用定律 氧化镁薄膜 吸附 生长 团簇 |
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