超微半导体AgBr的量子尺寸效应 |
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引用本文: | 何天敬,王鹏.超微半导体AgBr的量子尺寸效应[J].化学物理学报,1995,8(1):23-27. |
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作者姓名: | 何天敬 王鹏 |
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摘 要: | 本文研究了间接带半导体AgBr由于空间尺寸的限制产生的吸收,荧光兰移,激子振子强度增强的量子尺寸效应,观察到旋-轨道分裂带至导带的284nm吸收峰,经硫处理的Agbr直接激子吸收峰从310nm移至301nm。相应的荧光从340nm移至324nm,同时在850nm处产生了一新的荧光带。
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关 键 词: | 半导体 溴化银 量子尺寸效应 硫 能带结构 |
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