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超微半导体AgBr的量子尺寸效应
引用本文:何天敬,王鹏.超微半导体AgBr的量子尺寸效应[J].化学物理学报,1995,8(1):23-27.
作者姓名:何天敬  王鹏
摘    要:本文研究了间接带半导体AgBr由于空间尺寸的限制产生的吸收,荧光兰移,激子振子强度增强的量子尺寸效应,观察到旋-轨道分裂带至导带的284nm吸收峰,经硫处理的Agbr直接激子吸收峰从310nm移至301nm。相应的荧光从340nm移至324nm,同时在850nm处产生了一新的荧光带。

关 键 词:半导体  溴化银  量子尺寸效应    能带结构
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