| 基于非金属掺杂g-C3N4的均匀B-C-N三相单层 |
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| 引用本文： | 张娜,武晓君.基于非金属掺杂g-C3N4的均匀B-C-N三相单层[J].化学物理学报,2014,27(4):394-398. |
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| 作者姓名： | 张娜 武晓君 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学中国科学院能量转换材料重点实验室，合肥230026;中国科学技术大学中国科学院能量转换材料重点实验室，合肥230026；中国科学技术大学量子信息与量子物理协同创新中心，合肥230026；中国科学技术大学化学与材料科学学院与合肥微尺度物质科学国家实验室(筹)，合肥230026 |
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| 摘 要： | 基于第一性原理方法计算，通过在g-C3N4中掺杂C、B和N原子， 预测了四种元素均匀分布的B-C-N三元单层材料． 除了B4-C3N4单层材料是一个具有1.18 eV带隙的半导体， 其余三种C-B-N三元单层材料都是金属材料．其中，B3C-C3N4是铁磁金属，其净磁矩为0.57 μB/原胞，可用于构建自旋电子器件材料．计算的形成能显
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| 关 键 词： | 密度泛函理论，B-C-N三元单层，g-C3N4 |
| 收稿时间： | 4/2/2014 12:00:00 AM |
Uniform B-C-N Ternary Monolayer from Non-Metal Filled g-C3N4 Sheet |
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| Na Zhang and Xiao-jun Wu.Uniform B-C-N Ternary Monolayer from Non-Metal Filled g-C3N4 Sheet[J].Chinese Journal of Chemical Physics,2014,27(4):394-398. |
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| Authors: | Na Zhang and Xiao-jun Wu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Density functional theory B-C-N ternary monolayer g-C3N4 |
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