首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

在193 nm关于Si2分子的离子解离动力学的成像研究
引用本文:马玉杰,李芳芳,刘嘉兴,王凤燕.在193 nm关于Si2分子的离子解离动力学的成像研究[J].化学物理学报,2019,32(1):129-133.
作者姓名:马玉杰  李芳芳  刘嘉兴  王凤燕
作者单位:复旦大学化学系,上海市分子催化和功能材料重点实验室,能源材料化学协同创新中心,上海 200438,复旦大学化学系,上海市分子催化和功能材料重点实验室,能源材料化学协同创新中心,上海 200438,复旦大学化学系,上海市分子催化和功能材料重点实验室,能源材料化学协同创新中心,上海 200438,复旦大学化学系,上海市分子催化和功能材料重点实验室,能源材料化学协同创新中心,上海 200438
摘    要:在193 nm的单色激光实验中,本文利用时间切片离子速度成像技术,研究了经193 nm双光子电离得到的Si2+的解离反应动力学过程. 根据实验得到的Si+离子的速度成像,观测到了两种离子直接解离通道:Si(3Pg)+Si+(2Pu)和Si(1D2)+Si+(2Pu). 电子基态的Si2分子处于v=0∽5的振动态上,其经过双光子电离后激发到Si2+离子的多个电子激发态势能面,生成主要通道Si(3Pg)+Si+(2Pu),其中v=1的解离信号最强. 此外,由于势能曲线22Πg与32Πg相同对称性引起的避免性势能面交叉,生成次要反应通道Si(1D2)+Si+(2Pu). 通道Si(1D2)+Si+(2Pu)的产物亦可以由生成的基态Si2+(X4Σg-)吸收一个193 nm光子后解离得到,其对应产物则具有更大的动能.

关 键 词:切片成像,光解动力学,硅二聚体,193  nm
收稿时间:2019/1/13 0:00:00

Imaging the Dissociation Dynamics of Si2+ via Two-Photon Excitation at 193 nm
Yu-jie M,Fang-fang Li,Jia-xing Liu and Feng-yan Wang.Imaging the Dissociation Dynamics of Si2+ via Two-Photon Excitation at 193 nm[J].Chinese Journal of Chemical Physics,2019,32(1):129-133.
Authors:Yu-jie M  Fang-fang Li  Jia-xing Liu and Feng-yan Wang
Institution:Department of Chemistry and Shanghai Key Laboratory of Molecular Catalysis and Innovative Materials, Collaborative Innovation Center of Chemistry for Energy Materials (iChEM), Fudan University, Shanghai 200433, China,Department of Chemistry and Shanghai Key Laboratory of Molecular Catalysis and Innovative Materials, Collaborative Innovation Center of Chemistry for Energy Materials (iChEM), Fudan University, Shanghai 200433, China,Department of Chemistry and Shanghai Key Laboratory of Molecular Catalysis and Innovative Materials, Collaborative Innovation Center of Chemistry for Energy Materials (iChEM), Fudan University, Shanghai 200433, China and Department of Chemistry and Shanghai Key Laboratory of Molecular Catalysis and Innovative Materials, Collaborative Innovation Center of Chemistry for Energy Materials (iChEM), Fudan University, Shanghai 200433, China
Abstract:
Keywords:Slice imaging  Photodissociation  Silicon dimmer Si2  193 nm
点击此处可从《化学物理学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《化学物理学报》下载免费的PDF全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号