| 红外光谱研究Fenton试剂对多壁碳纳米管表面的影响 |
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| 引用本文： | 李伟,成荣明,徐学诚,陈奕卫,孙明礼,何为凡.红外光谱研究Fenton试剂对多壁碳纳米管表面的影响[J].化学物理学报,2005,18(3):416-420. |
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| 作者姓名： | 李伟 成荣明 徐学诚 陈奕卫 孙明礼 何为凡 |
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| 作者单位： | 华东师范大学纳米功能材料和器件应用研究中心 上海200062
(李伟，成荣明，徐学诚，陈奕卫，孙明礼)，华东师范大学纳米功能材料和器件应用研究中心 上海200062(何为凡) |
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| 基金项目： | ProjectsupportedbytheShanghaiNanotechnologyPromotionCenter(0252nm011). |
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| 摘 要： | 碳纳米管经焙烧和稀硝酸纯化处理后,在不同实验条件下采用Fenton试剂对多壁碳纳米管进行化学改性,红外光谱(FTIR)结果表明,Fenton试剂化学处理后能够在碳纳米管表面引入羟基和羰基,且羰基峰的吸收强度随着反应时间的增加而增加;碳纳米管的化学处理条件即过氧化氢与亚铁离子物质的量之比、pH值和反应时间等因素能够影响碳纳米管的改性效果;过氧化氢与亚铁离子物质的量之比控制在10左右,pH保持在3,反应10h即能在碳纳米管表面产生较多的羰基.此外,根据Fenton试剂产生羟基自由基的机理和碳纳米管改性前后的FTIR变化,初步分析了Fenton试剂与碳纳米管作用的可能机理.机理分析表明,羟基和羰基的产生是由亲电性的HO·对碳纳米管上的不饱和键进行加成氧化引起的.
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| 关 键 词： | 多壁碳纳米管 Fenton试剂 羟基自由基 机理 |
| 收稿时间： | 2004/5/28 0:00:00 |
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