| C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜)热处理的形态及结构分析 |
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| 引用本文： | 邱晓燕,李建,赵保刚,刘存业,王跃,刘晓东,林跃强.C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜)热处理的形态及结构分析[J].化学物理学报,2001,14(4):439-444. |
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| 作者姓名： | 邱晓燕 李建 赵保刚 刘存业 王跃 刘晓东 林跃强 |
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| 作者单位： | 西南师范大学物理系,重庆400715 |
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| 基金项目： | 国家教育部高校骨干教师资助项目、重庆市科委基金项目. |
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| 摘 要： | 用直流辉光溅射＋真空镀膜法制备了一种新型结构的硅基纳米发光材料－C（膜）／Si（SiO2)(纳米微粒）／C（膜）夹层膜，并对其进行了退火处理，用TEM，SEM，XRD和XPS对其进行了形态结构分析，TEM观察表明：Si(SiO2)纳米微粒基本呈球形，粒径在30nm左右，SEM观察表明：夹层膜样品总厚度约为50um ,膜表面比较平整，致密，400度退火后，样品表面变得凹凸不平，出现孔状结构；650度退火后，样品表面最平整，致密且颗粒均匀，XRD分析表明：制备出的夹层膜主要由SiO2和Si 组成，在C原子的还原作用和氧气的化作用的共同作用下，SiO2和Si含量随加热温度的升高而呈现交替变化；400度时，C的还原作用占主导地位，SiO2几乎全部被还原成了Si,此时Si含量最高；400－650度时，氧化作用占主导地位，Si又被氧化成SiO2，Si 含量降低，SiO含量逐渐上升，在650度达到最高，XS分析表明：在加热过程中，C原子逐渐扩散进入Si(SiO2)_微粒层，在650度与Si反应生成了新的SiC。
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| 关 键 词： | 碳膜 纳米微粒 夹层膜 碳／硅／碳 热处理 硅基纳米发光材料 形态 结构 |
| 收稿时间： | 1/4/2001 12:00:00 AM |
The Configuration of Annealed C(Film)/Si (SiO2)(Nanometer Particles)/C(Film) |
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| Qiu Xiaoyan,Li Jian,Zhao Baogang,Liu Cunye,Wang Yao,Liu Xiaodong and Lin Yaoqiang.The Configuration of Annealed C(Film)/Si (SiO2)(Nanometer Particles)/C(Film)[J].Chinese Journal of Chemical Physics,2001,14(4):439-444. |
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| Authors: | Qiu Xiaoyan Li Jian Zhao Baogang Liu Cunye Wang Yao Liu Xiaodong and Lin Yaoqiang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Carbon film Si(SiO2) particle C(F)/Si (SiO2)(N)/C(F) |
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