| Pr3+离子单掺LiLuF4单晶的坩埚下降法生长及光谱性能研究 |
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| 引用本文： | 方立志,周 雄,夏海平,胡建旭,章践立,陈宝玖.Pr3+离子单掺LiLuF4单晶的坩埚下降法生长及光谱性能研究[J].化学物理学报,2019,32(6):661-666. |
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| 作者姓名： | 方立志 周 雄 夏海平 胡建旭 章践立 陈宝玖 |
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| 作者单位： | 宁波大学光电子功能材料重点实验室，宁波 315211,宁波大学光电子功能材料重点实验室，宁波 315211,宁波大学光电子功能材料重点实验室，宁波 315211,宁波大学光电子功能材料重点实验室，宁波 315211,宁波大学光电子功能材料重点实验室，宁波 315211,大连海事大学物理系，大连 116026 |
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| 摘 要： | 本文应用坩埚下降法技术在全密封铂金坩埚条件下生长了不同Pr3+离子掺杂浓度的高质量LiLuF4单晶. 测定了单晶体从420 nm至500 nm的激发光谱. 在446 nm光激发下，观察到单晶体480 nm(3P0→3H4)蓝色发射带、522 nm(3P1→3H5)绿色发射及605 nm(1D2→3H4)的红色发射，其对应的平均寿命分别为38.5、37.3和36.8 μs. 其荧光寿命明显大于Pr3+掺杂的氧化物单晶. 同时研究了激发波长和掺杂浓度对发射强度以及色度坐标的影响. 获得最佳的Pr3+浓度为∽0.5 mol%，并分析了环境温度从298 K 到443 K变化对荧光强度的影响. 结果表明随着温度的增加，荧光强度逐步变弱，其中3P0→3H4(480 nm)能级跃迁受温度影响最大，其次是3P1→3H5和1D2→3H4.
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| 关 键 词： | Pr3+离子，LiLuF4单晶，光学性能 |
| 收稿时间： | 2019/2/3 0:00:00 |
Optical Spectroscopy of Pr3+ Ion Singly Doped LiLuF4 Single Crystal by Bridgman Method |
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| Li-zhi Fang,Xiong Zhou,Hai-ping Xi,Jian-xu Hu,Jian-li Zhang and Bao-jiu Chen.Optical Spectroscopy of Pr3+ Ion Singly Doped LiLuF4 Single Crystal by Bridgman Method[J].Chinese Journal of Chemical Physics,2019,32(6):661-666. |
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| Authors: | Li-zhi Fang Xiong Zhou Hai-ping Xi Jian-xu Hu Jian-li Zhang and Bao-jiu Chen |
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| Institution: | Key laboratory of Photo-electronic Materials, Ningbo University, Ningbo 315211, China,Key laboratory of Photo-electronic Materials, Ningbo University, Ningbo 315211, China,Key laboratory of Photo-electronic Materials, Ningbo University, Ningbo 315211, China,Key laboratory of Photo-electronic Materials, Ningbo University, Ningbo 315211, China,Key laboratory of Photo-electronic Materials, Ningbo University, Ningbo 315211, China and Department of Physics, Dalian Maritime University, Dalian 116026, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Pr3+ ion LiLuF4 single crystal Optical spectroscopy |
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