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多孔硅表面钝化对其发光性能的影响
引用本文:李宏建,瞿述,剪之渐,彭景翠,向建南.多孔硅表面钝化对其发光性能的影响[J].化学物理学报,2000,13(4):492-496.
作者姓名:李宏建  瞿述  剪之渐  彭景翠  向建南
作者单位:湖南大学电子材料研究所
基金项目:湖南省自然科学基金资助项目
摘    要:报道多孔硅(PS)的表面钝化对其光致发光(PL)和电致发光(EL)的影响,PL和EL谱表明,经钝化处理的PS的PL和EL强度明显增强,且发光峰位较大蓝移;存放实验表明,经钝化处理的PS的PL和EL发光强度和发光峰位具较好的稳定性;I~V曲线显示,经钝化处理的PS发光器件具有较低的劝电压,结结果表明:用钝化处理的方法是几PL和EL强度和稳定性及改善器件性能的有效途径。

关 键 词:多孔硅  表面钝化  光致发光  电致发光
收稿时间:1999/10/5 0:00:00

The Influences of Surface Passivation on Luminescence Properties of Porous Silicon
Li Hongjian,Qu Shu,Jian Zhijian,Peng Jingcui and Xiang Jiannana.The Influences of Surface Passivation on Luminescence Properties of Porous Silicon[J].Chinese Journal of Chemical Physics,2000,13(4):492-496.
Authors:Li Hongjian  Qu Shu  Jian Zhijian  Peng Jingcui and Xiang Jiannana
Institution:The Institute of Electronic Materials,a.College of Chemistry and Chemical Engineering,Hunan University,Changsha 410082,The Institute of Electronic Materials,a.College of Chemistry and Chemical Engineering,Hunan University,Changsha 410082,The Institute of Electronic Materials,a.College of Chemistry and Chemical Engineering,Hunan University,Changsha 410082,The Institute of Electronic Materials,a.College of Chemistry and Chemical Engineering,Hunan University,Changsha 410082,The Institute of Electronic Materials,a.College of Chemistry and Chemical Engineering,Hunan University,Changsha 410082
Abstract:
Keywords:Porous silicon  Surface passivation  Photoluminescence  Electroluminescence
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