| 压强对低频PECVD制备SiNx:H薄膜特性的影响 |
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| 引用本文： | 闻震利,曹晓宁,周春兰,王文静.压强对低频PECVD制备SiNx:H薄膜特性的影响[J].化学物理学报,2012,25(1):110-114. |
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| 作者姓名： | 闻震利 曹晓宁 周春兰 王文静 |
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| 作者单位： | 中国科学院电工研究所, 太阳能热利用及光伏系统重点实验室，北京100190;中国科学院电工研究所, 太阳能热利用及光伏系统重点实验室，北京100190;中国科学院电工研究所, 太阳能热利用及光伏系统重点实验室，北京100190;中国科学院电工研究所, 太阳能热利用及光伏系统重点实验室，北京100190 |
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| 摘 要： | 氢化氮化硅薄膜在晶体硅太阳电池工艺中是一种有效的减反射、钝化薄膜．利用Centrotherm公司的直接法低频PECVD设备在抛光后的p型硅衬底(1.0 Ωcm)表面制作氢化氮化硅,得到了具有较好钝化效果且折射率为2.017～2.082的薄膜．随着压强的增加，薄膜的折射率略有增加．利用傅里叶变换红外光谱技术研究了薄膜中成键结构特性随压强的变化．结果表明沉积压强强烈的影响了H键的浓度和Si-N键的浓度．其中硅的悬挂键浓度是影响薄膜钝化特性的关键因素．最后给出了样品有效少子寿命随时间的衰减特性，并利用成键结构对钝化的影响给出了这种衰减的原因.
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| 关 键 词： | 氮化硅薄膜，压强，钝化，结构特性 |
| 收稿时间： | 2011/9/26 0:00:00 |
Influence of Pressure on SiNx:H Film by LF-PECVD |
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| Zhen-li Wen,Xiao-ning Cao,Chun-lan Zhou and Wen-jing Wang.Influence of Pressure on SiNx:H Film by LF-PECVD[J].Chinese Journal of Chemical Physics,2012,25(1):110-114. |
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| Authors: | Zhen-li Wen Xiao-ning Cao Chun-lan Zhou and Wen-jing Wang |
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| Institution: | Key Laboratory Solar Thermal Energy and Photovoltaic Systems, Institute of Electrical Engineering, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China;Key Laboratory Solar Thermal Energy and Photovoltaic Systems, Institute of Electrical Engineering, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China;Key Laboratory Solar Thermal Energy and Photovoltaic Systems, Institute of Electrical Engineering, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China;Key Laboratory Solar Thermal Energy and Photovoltaic Systems, Institute of Electrical Engineering, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiNx:H thin film Pressure Passivation Structural properties |
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