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氧化物辅助生长法合成氮化硼纳米管
引用本文:张弜,吕春菊,李宗全.氧化物辅助生长法合成氮化硼纳米管[J].化学物理学报,2005,18(1):113-116.
作者姓名:张弜  吕春菊  李宗全
作者单位:浙江大学材料科学与工程系,浙江大学材料科学与工程系,浙江大学材料科学与工程系,硅材料国家重点实验室 杭州310027
基金项目:SupportedbytheNationalHighTechnologyResearchandDevelopmentProgramofChina(863Program002AA336020)andZhejiangProvincialAnalyzingandTestingFunds(G20030643)
摘    要:硼、氧化硅、硅的混合粉末与氨气在1423K反应生成了氮化硼纳米管.产物用X射线衍射(XRD),透 射电镜(TEM)和傅立叶红外光谱(FTIR)进行了表征.氮化硼纳米管的直径为20~50nm,长达几十微米.氮化硼 纳米管的头部是开口或封口的,没有观察到纳米颗粒被包覆在纳米管的端部.因此,氮化硼纳米管的生长被认为 是一种氧化物辅助生长的机理.同多晶六方氮化硼的红外光谱相比,在1520cm-1处的小吸收峰表现了氮化硼纳 米管的一维结构特征.

关 键 词:氮化硼  纳米管  合成  氧化硅

Synthesis of Boron Nitride Nanotubes by an Oxide-assisted Growth Method *
Zhang Jiang a,Lu Chunju a,Li Zongquan a,b.Synthesis of Boron Nitride Nanotubes by an Oxide-assisted Growth Method *[J].Chinese Journal of Chemical Physics,2005,18(1):113-116.
Authors:Zhang Jiang a  Lu Chunju a  Li Zongquan a  b
Institution:Zhang Jiang a,Lu Chunju a,Li Zongquan a,b **
Abstract:
Keywords:BN  Nanotubes  Synthesis  Silica
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