半导体纳米晶的光吸收系数与尺寸的关系 |
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引用本文: | 黄社松,陈东明.半导体纳米晶的光吸收系数与尺寸的关系[J].化学物理学报,1999,12(6):663-669. |
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作者姓名: | 黄社松 陈东明 |
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作者单位: | 中国科学技术大学化学物理系 |
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摘 要: | 利用用效质量近似,考虑有限深势阱,对半导体纳米晶的光吸收增强效应进行了研究,提出了一个基本的模型,在限制区,随着半导体纳米晶尺寸的减小,势阱壁对电子-空穴对的相对运动的限制作用大大地增强了光吸收振子强度,对激子的质心运动的限制作用缓慢地啬了吸收振子强度,而跃迁频率的变化减小了振子强度,这三者的总体贡献导致了光吸收系数的大大增强;在弱限制区,单位体积的光吸收振子强度趋于一个常数,这与著名的巨振子强度
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关 键 词: | 半导体纳米晶 EMA理论 有限泞势阱 光吸收系数 |
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