| GaN量子点层厚度对太赫兹量子点级联激光器有源区优化设计的影响 |
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| 引用本文： | 张奥楠,宋亚峰.GaN量子点层厚度对太赫兹量子点级联激光器有源区优化设计的影响[J].广西物理,2023(3):36-38. |
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| 作者姓名： | 张奥楠 宋亚峰 |
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| 作者单位： | 商洛学院电子信息与电气工程学院物理系 |
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| 基金项目： | 国家级大学生创新创业训练计划项目（202111396006）；;陕西省自然科学基础研究计划资助项目（2017JQ6011）；;商洛学院科学与技术研究基金项目（15SKY025)； |
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| 摘 要： | 近年来，随着太赫兹科学技术的兴起，Ga N基量子级联激光器成为进一步提高太赫兹源工作温度潜力的研究方向之一。半导体量子点由于其优越的量子限制效应对改善光电器件的特性有重要的作用。本文系统研究了引入Ga N量子点后，Ga N量子点层厚度对双阱结构周期的AlxGa1-xN/AlyGa1-yN太赫兹量子点级联激光器的有源区结构优化设计的影响，并考虑了各种不同掩埋量子点的阱层厚度的影响。发现该结构中量子点层厚度越小，跃迁发光能级的能量间隔越小，且处于太赫兹光能量范围内；反之量子点层厚度越大，明显超出了太赫兹范围，尤其超过2 nm后压电极化效应使量子点左侧的阱中的三角形势垒抬高，更加不利于发光跃迁的进行。因此量子点级联激光器要产生太赫兹波段的辐射需要量子点层厚度足够小，对该结构来说应小于等于1 nm。此外还发现总体上跃迁发光的能级间隔几乎不受掩埋量子点的阱层厚度的影响。这些研究结果可为引入Ga N量子点的AlxGa1-xN/AlyGa...
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| 关 键 词： | GaN量子点 量子点级联激光器 有源区结构 太赫兹源 |
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