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量子阱中电子自旋注入及弛豫的飞秒光谱研究
引用本文:孙丰伟,邓莉,寿倩,刘鲁宁,文锦辉,赖天树,林位株.量子阱中电子自旋注入及弛豫的飞秒光谱研究[J].物理学报,2004,53(9):3196-3199.
作者姓名:孙丰伟  邓莉  寿倩  刘鲁宁  文锦辉  赖天树  林位株
作者单位:中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理系,广州 510275
基金项目:国家自然科学基金(批准号:10274107,60178020, 60490295,60378006)和广东省自然科学基金(批准号:011204,2002B 11601)资助的课题.
摘    要:采用飞秒脉冲的饱和吸收光谱方法研究了GaAs/AlGaAs多量子阱中电子自旋的注入和 弛豫特性,测得电子自旋极化弛豫时间为80±10ps.说明了电子自旋 轨道耦合相互作用引 起局域磁场的随机化,是导致电子的自旋极化弛豫的主要机理. 关键词: 自旋电子学 半导体量子阱 飞秒激光光谱 自旋 轨道耦合

关 键 词:自旋电子学  半导体量子阱  飞秒激光光谱  自旋  轨道耦合
文章编号:1000-3290/2004/53(09)/3196-04
收稿时间:2003-10-28

Femtosecond spectral studies of electron spin injection and relaxation in AlGaAs / GaAs MQW
Sun Feng-Wei,Deng Li,Shou Qian,Liu Lu-Ning,Wen Jin-Hui,Lai Tian-Shu and Lin Wei-Zhu.Femtosecond spectral studies of electron spin injection and relaxation in AlGaAs / GaAs MQW[J].Acta Physica Sinica,2004,53(9):3196-3199.
Authors:Sun Feng-Wei  Deng Li  Shou Qian  Liu Lu-Ning  Wen Jin-Hui  Lai Tian-Shu and Lin Wei-Zhu
Abstract:The electron spin injection and relaxation in AlGaAs/GaAs multi quantum well(MQW) are studied with f emtosecond saturation absorption measurements. A electron spin relaxation time of 80±10ps is deduced. The relaxation mechanism is attributed to the randomizat ion of the local magnetic field arising from the spin orbit coupling.
Keywords:spintronics  multiple quantum wells  femtosecond laser spectroscopy  spin  orbit coupling  
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