| Schottky势垒高度理论计算中的平均键能方法 |
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| 引用本文： | 李书平,王仁智.Schottky势垒高度理论计算中的平均键能方法[J].物理学报,2003,52(3):542-546. |
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| 作者姓名： | 李书平 王仁智 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系，厦门 361005 |
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| 摘 要： | 以平均键能Em作为参考能级，计算了１０种不同半导体的Schottky接触势垒高度，计算值与实验值符合较好-计算值与实验值的符合程度与Tersoff的电中性能级EB方法相当，优于Harrison和Cardona等人采用sp3平均杂化能εh和介电函数隙中能级ED的计算结果-
关键词：
势垒高度
平均键能方法
费米能级
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| 关 键 词： | 势垒高度 平均键能方法 费米能级 |
| 收稿时间： | 2002-04-17 |
| 修稿时间： | 2002年4月17日 |
Average-bond-energy method in Schottky barrier height calculation |
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| Li Shu-Ping and Wang Ren-Zhi.Average-bond-energy method in Schottky barrier height calculation[J].Acta Physica Sinica,2003,52(3):542-546. |
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| Authors: | Li Shu-Ping and Wang Ren-Zhi |
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| Abstract: | Ten barrier heights of metal-semiconductor contacts are calculated by taking the average-bond-energy as the reference level- The coincidence degree of the calculational values and the experimental values is as good as that of Tersoff's charge-neutrality point method in theoretical calculation of metal-semiconductor contacts- The calculational results are much better than that of Harrison's tight-binding method and Cardona's dielectric midgap energy method- |
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| Keywords: | barrier height average-bond-energy method Fermi level |
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