| 人工金刚石薄膜生长过程中有关反应活性的研究 |
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| 引用本文： | 潘必才,夏上达,方容川.人工金刚石薄膜生长过程中有关反应活性的研究[J].物理学报,1995,44(5):763-771. |
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| 作者姓名： | 潘必才 夏上达 方容川 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学物理系,合肥230026 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划;;国家自然科学基金资助的课题 |
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| 摘 要： | 用原子簇团模拟人工金刚石膜生长过程中的一些生长核,采用从头自治的DV-X_n方法对这些簇团和与生长过程有关的一些气相分子和基团(CH,CH_2,CH_3,·CH_3,CH_4·H,C_2H,C_2H_2,C_2H_4)进行了电子结构计算,从化学反应活性的角度探讨金刚石膜生长过程中这些气相分子和基团与生长核的反应活性,结果表明,CH,CH_2,CH_3,CH_4·H和变形的C_2H_2更易于与金刚石表面发生化学吸附。另外,通过分析簇团的电子态密度和前线分子轨道的组成情况,提出了人工金刚石膜生长中生长核长大的
关键词：
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| 关 键 词： | 金刚石 人工金刚石 薄膜 薄膜生长 反应活性 |
| 收稿时间： | 1994-03-28 |
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