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| 形成半导体量子线结构的质子注入方法研究 | |
| 引用本文： | 吴正云,黄启圣.形成半导体量子线结构的质子注入方法研究[J].物理学报,1995,44(9):1461-1466. |
| 作者姓名： | 吴正云 黄启圣 |
| 作者单位： | 厦门大学物理系,厦门361005 |
| 摘 要： | 用20keV的质子(H~+)注入到Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As单量子阱,经快速退火,促使势垒上的Al向量子阱内扩散,尝试制备了线宽从0.5μm到0.1μm的量子线结构.由低温(14K)下阴极射线发光谱测量,观察到量子线中发光谱峰的蓝移,并通过与理论计算比较,讨论注入区内外Al的内扩散及掩膜区边缘横向离散的影响.
关键词： |
| 关 键 词： | 量子线结构 质子注入 量子阱 砷化镓 |
| 收稿时间： | 1994-08-30 |
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