| Si1-xCex/Si量子阱发光材料制备及特性研究 |
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| 引用本文： | 杨宇,卢学坤,黄大鸣,蒋最敏,杨敏,章怡,龚大卫,陈祥君,胡际璜,张翔九,赵国庆.Si1-xCex/Si量子阱发光材料制备及特性研究[J].物理学报,1995,44(6):995-1002. |
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| 作者姓名： | 杨宇 卢学坤 黄大鸣 蒋最敏 杨敏 章怡 龚大卫 陈祥君 胡际璜 张翔九 赵国庆 |
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| 作者单位： | (1)复旦大学物理二系,上海200433; (2)复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金部份资助的课题 |
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| 摘 要： | 在si(100)衬底上用分子束外延成功生长了Si_(1-x)Ge_x/si量子阱发光材料,发现在生长过程中背景杂质含量直接影响材料的发光特性,用光致发光(PL)和卢瑟福背散射(RBS)对样品质量进行标定。在PL测量中观察到合金量子阱带边激子分辨峰,并对发光峰能和峰宽作了讨论。
关键词：
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| 关 键 词： | 硅锗合金 量子阱 发光材料 特性 分子束外延 |
| 收稿时间： | 1994-01-13 |
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