| H2对Ar稀释SiH4等离子体CVD制备多晶硅薄膜的影响 |
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| 引用本文： | 祁菁,金晶,胡海龙,高平奇,袁保和,贺德衍. H2对Ar稀释SiH4等离子体CVD制备多晶硅薄膜的影响[J]. 物理学报, 2006, 55(11) |
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| 作者姓名： | 祁菁 金晶 胡海龙 高平奇 袁保和 贺德衍 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划 |
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| 摘 要： | 以SiH4,Ar和H2为反应气体,采用射频等离子体化学气相沉积方法在300℃下制备了低温多晶Si薄膜.实验发现,反应气体中H2的比例是影响薄膜结晶质量的重要因素,在适量的H2比例下制备的多晶Si薄膜具有结晶相体积分数高,氢含量低,生长速率快、抗杂质污染等特性.
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| 关 键 词： | 低温多晶Si薄膜 等离子体CVD Ar稀释SiH4 H2比例 |
Effect of H2 on polycrystalline Si films deposited by plasma-enhanced CVD using Ar-diluted SiH4 |
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| Qi Jing,Jin Jing,Hu Hai-Long,Gao Ping-Qi,Yuan Bao-He,He De-Yan. Effect of H2 on polycrystalline Si films deposited by plasma-enhanced CVD using Ar-diluted SiH4[J]. Acta Physica Sinica, 2006, 55(11) |
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| Authors: | Qi Jing Jin Jing Hu Hai-Long Gao Ping-Qi Yuan Bao-He He De-Yan |
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