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高温下金属薄膜生长初期的模拟研究
引用本文:吴锋民,施建青,吴自勤.高温下金属薄膜生长初期的模拟研究[J].物理学报,2001,50(8):1555-1559.
作者姓名:吴锋民  施建青  吴自勤
作者单位:(1)浙江工业大学科学研究中心,杭州310014;浙江工业大学应用物理系,杭州310014; (2)浙江工业大学应用物理系,杭州310014; (3)中国科学技术大学天文与应用物理系,合肥230026
基金项目:浙江省自然科学基金(编号:198034);浙江工业大学科学研究中心资助的课题.
摘    要:采用实际的生长模型和物理参量,用Monte Carlo方法对高温下金属薄膜的生长过程进行了模拟研究.综合考虑了原子沉积、扩散、成核、生长和扩散原子的再蒸发、原子沿岛周界扩散和岛的合并等众多过程后,模拟得到与实验结果相当一致的薄膜生长形貌及其相应的定量结果.通过动态统计薄膜生长过程中的岛数目及薄膜生长率,得到实验中不易直接获得的高温下薄膜生长的许多细节,如岛数目和薄膜生长率随表面温度、覆盖度变化的详细情况等 关键词: 薄膜 Monte Carlo模拟 成核 岛密度 薄膜生长率

关 键 词:薄膜  Monte  Carlo模拟  成核  岛密度  薄膜生长率
收稿时间:2000-12-07
修稿时间:2000年12月7日

SIMULATION OF THE INITIAL GROWTH OF METAL THIN FILMS AT HIGH TEMPERATURE
WU FENG-MIN,SHI JIAN-QING and WU ZI-QIN.SIMULATION OF THE INITIAL GROWTH OF METAL THIN FILMS AT HIGH TEMPERATURE[J].Acta Physica Sinica,2001,50(8):1555-1559.
Authors:WU FENG-MIN  SHI JIAN-QING and WU ZI-QIN
Abstract:The atomic processes of nucleation and initial growth of thin films on metal surfaces are simulated by Monte Carlo method,using realistic growth model-Fe on Fe (001) surface and physical parameters.By taking into account the physical processes involved in film growth,such as deposition,diffusion,nucleation,growth,evaporation,edge diffusion and coalescence,the morphology and quantitative characteristies of thin film growth are obtained.The details of thin film growth at high substrate temperatures,such as the change of island density and growth rate with temperature and coverage,are obtained by making statistical counting during the growth processes,which are difficult to access directly in real experiments.
Keywords:thin film  Monte Carlo simulation  nucleation  island density  growth rate of thin film
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